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着眼于解决 6G 的许多挑战，总部位于英国的 Nanusens 公司最近宣布推出一种用于射频前端设计的新型 MEMS-within-CMOS 解决方案。 随着全球 5G 网络建设规模的持续扩大，学术界与产业界已经开始努力研发下一代 6G 无线通信， 6G 有望实现前所未有的数据速率、超低延迟以及支持大量连接设备的能力。然而，这些进步存在重大的技术障碍，特别是在射频前端设计方面。 6G 在更高频段工作需要采用新颖的天线设计和信号处理方法， Nanusens 旨在通过其新解决方案提供这种方法，这种新解决方案的核心是射频数字可调电容器（ DTC 。如下图），它是使用集成在标准 CMOS 层内的纳米级 MEMS 结构开发的。 这些 DTC 比现有解决方案具有显著优势，包括出色的线性度，可最大程度地减少失真、提高功率效率，以及始终如一的高 Q 因子（如下图），即使在高频带
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