DRAM，新竞赛

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容来自半导体芯闻综合，谢谢。 三星电子和SK海力士等韩国最大的两家半导体公司正在关注下一代刻蚀技术“低温”。最初，该技术是针对高堆栈 NAND 开发的，但最近发现正在进行测试，以将其应用于下一代 DRAM。   据业内人士28日消息，三星电子、SK海力士等韩国主要存储器企业已开始准备将低温刻蚀技术应用于DRAM。   蚀刻是半导体制造工艺的关键要素，是去除晶圆上不必要的材料部分的工艺。广泛应用于存储器和系统半导体领域。   特别是，低温蚀刻技术最近引起了半导体行业的关注。低温蚀刻是一种在高达-60°C至-70°C的环境下进行蚀刻过程的技术。现有的蚀刻是在高达-20℃至30℃的环境下进行的。   在低温环境下，化学反应性降低，无需保护膜即可进行精确蚀刻。蚀刻速率（每分 ………………………………