西工大李家源&西交大姜召Angew：电催化界面氢溢流调控新参数

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第一作者：李越飞、李林森 通讯作者：姜召 教授、李家源 副教授 通讯单位：西北工业大学、西安交通大学 论文DOI：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202407810 全文速览 近年来，电催化界面的氢溢流效应备受关注。本文针对金属-金属界面氢溢流现象，提出这一过程由这两种金属之间的d带电子中心差异（Δε d ）所决定。Δε d 越小，活性氢原子在这两种金属上的吸附自由能差越小，进而有效降低界面氢溢流能垒。利用钌合金/铜（RuM/Cu）异质结作为模型催化剂，硝酸根氢化反应作为模型反应，这一观点得到验证。所合成出的具有最小Δε d 的RuPt/Cu催化剂在低能耗条件下（21.4k Wh kg amm −1 ）可获得高达−670±23.3 mA cm −2 的制氨偏电流密度，制氨速率可达3.45±0.12 mmol h −1 cm −2 ，法拉第效率高达99.8±0.2%。原位实验与理论计算表明，具有最小Δε d 的RuPt ………………………………