【公布】华虹宏力“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布；龙芯中科“芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质”专利公布

主要观点总结

本文报道了华虹宏力、龙芯中科和鑫华半导体三家公司的专利公布。华虹宏力公布了一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，龙芯中科则公布了一种芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质的专利，而鑫华半导体公布了一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置的专利。这些发明涉及半导体制造、芯片测试、电化学等领域，并分别有其独特的技术特点和优势。

关键观点总结

关键观点1: 华虹宏力减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法

该方法通过一系列薄膜沉积步骤，在硅片和炉管内壁生成薄膜，以降低成膜过程中的颗粒缺陷，提高产品的良率。

关键观点2: 龙芯中科的芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质专利

该专利提供了一种芯片及其测试方法，无需采用第三方测试设备，通过芯片内部模块之间的测试信号生成和传输，大大减少了测试成本。

关键观点3: 鑫华半导体的硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置专利

该专利涉及电化学领域，通过制备工艺调整，限定扣式电池微分容差曲线的峰强比制备气相法硅碳负极材料，改善了电化学装置的能量密度以及循环性能。

文章预览

1.华虹宏力“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布 2.龙芯中科“芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质”专利公布 3.鑫华半导体“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布 1.华虹宏力“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布 天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118563293A。 本发明提供一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，将一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第一反应气体，进行第一薄膜沉积，在硅片和炉管内壁生成一层第一薄膜；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第一薄膜的膜厚小于第一预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤；将另一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第二反应气 ………………………………