室温高灵敏度1550 nm雪崩光电二极管探测器

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在近红外（SWIR）波段，高灵敏度高速 雪崩二极管 倍广泛应用于光电通信以及激光雷达等应用中。可目前以铟镓砷雪崩击穿二极管（InGaAs APD）为主导的近红外 雪崩光电二极管（APD） 始终受限于传统倍增区材料，磷化铟（InP）和铟铝砷（InAlAs）的随机碰撞电离噪声，从而导致该器件灵敏度大幅降低。多年来国内外研究学者都在积极寻找与InGaAs、InP光电平台工艺兼容，同时拥有与体硅材料的超低碰撞电离噪声性能类似的新型半导体材料。 创新型1550 nm雪崩光电二极管，助力激光雷达系统发展 据麦姆斯咨询报道，英国谢菲尔德大学（Prof. John David, 金晓博士）、美国俄亥俄州立大学（Prof. Sanjay Krishina）和美国弗吉尼亚大学的研究团队（Prof. Joe Campbell）近日联合宣布，他们首次成功开发出一种新的超高灵敏度1550 nm APD，这一突破性进展有望极大提升激光雷 ………………………………