行业专题 | 中国光刻机崛起！

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【免责声明】Gangtise行业专题，依托于Gangtise丰富数据资源，结合AI人工智能技术生成内容并加以整合而成。本报告 旨在为读者提供行业趋势的参考视角， 其内容仅供大家参考，不作为任何投资建议。    机构解析 中国在光刻机领域取得重大突破， 其参数与ASML 1460K 和 Nikon S322F 接近。65nm ArF 光刻机参数对标国际先进水平 ，标志着中国光刻机技术迈向自主可控的重要xi一步，中国在DUV光刻机领域也取得了重大突破。 1. 65nm工艺优势 65nm工艺成熟先进，良率高，产量大，设计平台成熟可靠，广泛应用于射频器件生产。 相比90nm工艺，65nm工艺元件密度更高，整合性更好，性能更强。 2. 套刻精度 的重要性 套刻精度是衡量光刻机性能的关键指标，决定了 芯片的良率和性能。 随着工艺节点减小，套刻精度要求更高，对设备和技术的要求也更高。 3. 不同型号 ………………………………