混合键合的重磅突破，间距仅为2µm

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank） 编译自imec ，谢谢。 本周，在 2024 年 IEEE 电子元件和技术会议 (ECTC) 上，世界领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心 imec 展示了一种 Cu-to-Cu 和 SiCN-to-SiCN 芯片到晶圆键合工艺，在 < 350nm 芯片到晶圆叠层误差下，Cu 键合焊盘间距仅为 2µm，实现了良好的电气良率。这种细粒度的芯片到晶圆互连为逻辑/存储器上逻辑和存储器上存储器的应用铺平了道路。 从长远来看，芯片到晶圆键合还将实现芯片级和晶圆级光学互连 — imec 在 ECTC2024 上展示了该技术的第一个概念验证。 Imec 正在开发一种工艺流程，用于在互连焊盘间距远低于 10µm 甚至低至 1µm 的情况下进行直接芯片到晶圆混合键合。为了实现这些目标，imec 实现了重大的工艺改进，特别是在加工、芯片分离 ………………………………