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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41565-024-01705-2 近日，宾夕法尼亚州立大学Saptarshi Das教授团队探讨了基于双极性半导体WSe 2 单片三维集成互补二维场效应晶体管的前沿技术，研究成果发表在Nature Nanotechnology上。 两天前公众号分享了一篇基于N型半导体MoS 2 和P型半导体WSe 2 的大面积单片3D集成方案（2024，Small），两者的集成方案和有相似之处。对比之下，也可以发现这篇文章的优势在于单一半导体材料，且集成度和功能性更强。 摘要 半导体行业正在向“More Moore”时代过渡，通过采用三维集成方案来超越传统二维缩放的限制。尽管创新的封装解决方案使三维集成电路（IC）在商业上变得可行，但硅通孔和微凸点的使用增加了面积开销并引入了寄生电容，限制了整体性能。 单片三维集成（M3D）被认为是三维IC的未来，但
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