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如果说以硅为代表的第一代半导体是集成电路的基石，第二代半导体如砷化镓促成了信息高速公路的崛起的话，那么第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。 第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)，较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。 目前，很多公司已在第三代半导体领域看到商机，正紧锣密鼓地布局第三代半导体产业。下面为近期的第三代半导体项目大事件： 项目一：氮化物半导体新结构材料
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