中科院金属所，重磅Nature！

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【做计算 找华算】 理论计算助攻顶刊，50000+成功案例，全职海归技术团队、正版商业软件版权！ 经费预存选华算，高至16%预存增值！ 成果简介 晶体管可以根据Ng和Sze的分类法分为三大类：场效应晶体管、势效应晶体管和热载流子晶体管。前两类分别由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）为代表，在现代集成电路中取得了巨大成功；而第三类则在速度和多功能性方面具有优势，这主要得益于热载流子过量的动能，主要包括热电子晶体管（HET）和实空间转移晶体管（RSTT）。 HET以金属或半导体作为基底，当电子从发射极注入基底时，由于它们的能量高于基底，因此电子会变得过热且快速，导致基底传输时间短，器件速度得以提高。 诸如石墨烯和二硫化钼（MoS 2 ）等二维材料因其原子层厚度低，已用作基底以进一步减少基 ………………………………