Nature：自旋霍尔诱导的双线性磁电阻

文章预览

一、 【科学背景】 自旋霍尔效应（Spin Hall effect, SHE）在磁电材料中的应用，特别是在诱导二阶谐波纵向电阻（bilinear magnetoelectric resistance, BMER）方面，是一个前沿研究领域。磁阻是一种基本的传输现象，对于读取各种信息存储、创新计算和传感器设备读取磁态所必不可少的。最近的研究已将磁阻的范围扩大到非线性机制，如双线性磁电电阻 (BMER)，它与电场和磁场成正比。在这里，新加坡国立大学Hyunsoo Yang团队证明了双线性磁电阻是一种普遍的现象，甚至出现在没有明确动量空间自旋纹理的三维系统中。理论表明自旋霍尔效应能够实现 BMER，前提是上下界面的自旋积聚量在顶部和底部界面的自旋累积量不完全相同的情况下，自旋霍尔效应就能实现 BMER。相关研究成果以 “Spin Hall-induced bilinear magnetoelectric resistance”为题目发表在国际顶级期刊Nature Materi ………………………………