主要观点总结
该文章主要介绍了通过气体流量扰动的化学气相沉积法生长转角双层MoS2同质结的研究。该研究提供了一种普适的构造具有强莫尔势的转角TMD同质结的方法，并发现公度转角在其中的作用以及其对量子多体物理性质的影响。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景及目的
随着过渡金属硫族化合物（TMD）在量子多体物理特性领域的兴起，调控其能带结构以研究Mott绝缘态、Wigner晶体态和量子反常霍尔效应等成为研究热点。因此，建立理想的材料体系对研究莫尔超晶格调控的量子多体物理性质至关重要。
关键观点2: 研究成果
通过设计实验参数，发展了直接生长转角TMD材料的方法—气体流量扰动的化学气相沉积（CVD）法，并成功制备出层间转角大范围可调的双层MoS2同质结。发现转角双层MoS2同质结的形成与CVD生长过程中载气的流量变化密切相关。更重要的是，公度转角（~22°和~32°）的形成几率远高于非公度角，达到16%。此外，公度转角的双层MoS2同质结中，层间激子的PL光谱强度明显增强且寿命延长。
关键观点3: 理论支持与实践意义
该研究工作得到了系统的理论支持，包括转角双层MoS2的原子结构模型、莫尔势能计算以及电子能带结构分析。这些结果不仅有助于理解量子多体物理性质，也为相关领域的研究提供了理想平台和重要参考。
关键观点4: 相关工作及支持
该研究团队与相关单位紧密合作，包括南方科技大学、武汉大学等。研究工作得到了国家自然科学基金和清华大学低维量子国家重点实验室开放基金的经费支持。此外，上海昂维科技有限公司提供相关材料、器件和加工服务。
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