单层CuCrSe₂中多铁性的实验证据 | 进展

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多铁材料同时具有铁电性和铁磁性，对于基础物理研究和未来信息器件的构筑都具有重要意义。近年来，在电子器件的持续微型化的背景下，实现 高临界温度的二维多铁材料 对于新型器件的设计和研制而言尤为重要。然而，随着材料厚度的减薄，长程的铁电和铁磁序会因热涨落或退极化场而变得不稳定。因此，寻找合适的材料体系面临着很大的挑战。2022年，麻省理工学院的研究团队报道了 单层NiI 2 具有多铁性的实验证据 (Nature 2022,602,601)，但其全光学实验证据的可靠性受到了严重质疑(Nature 2023,619,E40)。另一方面，单层NiI 2 较低的临界温度和环境不稳定性限制了其实际器件应用。最近，有研究表明外延生长的单层Cr 2 S 3 薄膜可表现出多铁性，但其二维多铁性来源于和衬底的层间调制，并非材料的本征性质。因此，寻找一种 环境稳定且临界温度较高 ………………………………