主要观点总结
本文介绍了延世大学Jeong Ho Cho教授和成均馆大学Joohoon Kang团队在“Nature Electronics”期刊上发表的最新论文，展示了基于光反应交联剂的电化学剥离2D薄片的范德华异质结构图案化制造方法。该方法解决了传统光刻及转移过程中存在的化学污染物残留和图案化分辨率限制问题，可用于制造基于不同2D材料的晶圆级光图案化场效应晶体管（FET）阵列。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
基于分子插层的电化学剥离技术可用于构建范德华异质结构，但传统方法存在化学污染物残留和图案化分辨率限制的问题。
关键观点2: 研究亮点
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关键观点3: 研究成果
成功制造了基于不同2D材料的晶圆级光图案化场效应晶体管（FET）阵列，并展示了其高分辨率的二维材料图案化、正交图案化能力、良好的电荷传输能力以及长期器件稳定性。
文章预览
研究背景 基于分子插层的电化学剥离技术可用于构建范德华异质结构。然而，垂直异质结构的大规模组装通常需要依赖光刻及随后的转移过程，这些过程涉及各种化学溶剂，可能会残留化学污染物并限制图案化分辨率。 为了解决这些问题， 延世大学Jeong Ho Cho教授以及成均馆大学Joohoon Kang团队 在“Nature Electronics”期刊上发表了题为“Orthogonal photopatterning of two-dimensional percolated network
films for wafer-scale heterostructures”的最新论文。他们展示了一种基于光反应交联剂的电化学剥离2D薄片的范德华异质结构图案化制造方法。当含有交联剂的2D范德华渗透网络暴露于紫外光时，网络连接处形成共价键，从而增强电荷传输，并可在不影响底层预图案化层的情况下，实现垂直堆叠范德华薄膜网络的正交图案化。 该方法可用于制造基于不同2D材料的晶圆级光图案化场
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