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3~5 μm波段的中波红外(MWIR)是红外辐射的主要大气窗口之一,具有高达80%~85%的大气透过率,使得MWIR被动成像技术能够有效地穿透大气污染物,捕获目标物体的热辐射信号,提供高质量的成像结果。 中波红外 被动成像技术在安全、医疗和工业等多个领域具有重要应用,红外探测器是被动成像技术中感知和接收红外辐射信号的核心部件,通常基于窄带隙半导体材料或特殊结构,如InSb、HgCdTe和II型超晶格。尽管经过几十年的发展,这些探测器已经扩展到焦平面阵列,但它们的外延生长过程仍然容易受到晶格失配和有毒物质的影响。 二维材料,尤其是硫化钼(MoS₂),因其半导体特性、高载流子迁移率和化学稳定性,在光探测方面显示出巨大潜力,成为光电器件的理想材料。特别是原子级薄的MoS₂与碳纳米管构成的异质结,在电学和光学性质上表现出
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