单光子雪崩二极管 (SPAD) 传感器技术的最新进展：像素尺寸缩减和光子探測效率 (PDE) 提升

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单光子雪崩二极管 (SPAD) 传感器技术的最新进展： 像素尺寸缩减和光子探測效率 (PDE) 提升 学术报导撰稿人简介：Jun Ogi 本篇学术报导由 Sony索尼 Semiconductor Solutions Corporation 的 Jun Ogi 撰写，常驻于日本神奈川县厚木市旭町。 作为 索尼 的技术研究人员，Ogi 长期致力于数字图像传感器和单光子雪崩二极管（SPAD）技术的研究。他在国际固态电路会议（ISSCC）及国际图像传感器会议（IISW）上发表了多项关于 SPAD 的重要研究成果，展示了其在此领域的深厚专业背景和学术贡献。 前言 单光子雪崩二极管 (SPAD) 是一种高度敏感的光电探测器，能够侦测单个光子。由于其具有单光子灵敏度和亚奈秒级时间分辨率，像素已被广泛应用于飞行时间(ToF) 测距图像传感器和光子计数图像传感器。 近年来，背照式SPAD 技术与像素前端电路 (PFE) 电路透过铜-铜连接堆栈，透过 ………………………………