解决方案｜采用氮化镓PFC技术的瑞萨1.2kW高压逆变器解决方案

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在智能制造与工业自动化快速发展的趋势下，企业对于电机驱动系统的要求已不再局限于基本的性能表现，而是更加注重系统的能效比、可靠性以及其对整体生产效率的提升作用。针对这一需求，瑞萨推出采用氮化镓功率因数校正（PFC）技术的1.2kW小型高压逆变器解决方案，为工业界带来了高效、节能的新选择。 系统框图 如今，大多数逆变器都采用传统的PFC拓扑结构，这些结构共同特点是使用硅MOSFET或绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为核心组件，然而，在更高功率和更小尺寸的设计趋势下，这种方案可能会面临开关损耗和散热问题。为应对此挑战，瑞萨电子将硅器件替换为氮化镓场效应管—TP65H300G4LSG，以提高效率并降低系统成本。TP65H300G4LSG结合了先进的高压氮化镓HEMT与低压硅MOSFET技术，展现出卓越的可靠性和性能。相比传统硅器件，TP65H300G4LSG凭 ………………………………