新书抢读《NAND闪存技术》.日本

主要观点总结

本书详细描述了NAND闪存技术的发展历程，从早期历史、基本结构和操作原理，到存储单元技术的微缩挑战、可靠性，再到3D NAND闪存单元的介绍和挑战。适合从事NAND闪存或SSD开发的工程师、研究人员、设计师以及高等院校师生参考学习。

关键观点总结

关键观点1: 早期历史和基本结构

书中介绍了NAND闪存的早期历史，包括发明过程以及早期的发展挑战。同时详细描述了NAND闪存的基本结构和操作原理。

关键观点2: 存储单元技术的微缩挑战

随着存储单元尺寸的缩小，物理限制和挑战也变得越来越明显。书中详细讨论了这些挑战，包括浮栅电容耦合干扰、电子注入展宽、随机电报信号噪声等。

关键观点3: 可靠性和3D NAND闪存单元

书中讨论了NAND闪存的可靠性问题，包括编程/擦除循环耐久性、数据保持特性等。同时介绍了3D NAND闪存单元的结构、工艺、操作、可微缩性、性能等方面的优缺点。

关键观点4: 3D NAND闪存面临的挑战

尽管3D NAND闪存已经开始量产，但仍然面临许多挑战。书中讨论了增加堆叠单元的数量、阵列下外围电路、功耗等问题。

关键观点5: 总结和前景

最后，本书总结了NAND闪存技术的当前状态，并展望了未来的发展趋势和可能的技术突破。

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