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第一作者： Wentao Xiong 通讯作者：狄大卫，赵保丹 通讯单位：浙江大学 研究亮点： 1.通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂，可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性； 2.实现了 超高亮度（超过1.1×10 6 cdm − 2 ）和卓越的外量子效率（28.4%）的钙钛矿发光二极管。 一、半导体的可控掺杂 金属卤化物钙钛矿最近作为一种新型半导体出现，具有显著的光电性能，包括高载流子迁移率、可调的带隙、强光学吸收和高发光量子产率。这些性能推动了钙钛矿基太阳能电池、LED、激光器和光电探测器的快速发展。分子和离子添加剂被用于调整成分、钝化缺陷、控制结晶和稳定相位。尽管有时“掺杂”一词被模糊地用于描述向钙钛矿材料中引入添加剂，但关于掺杂对电荷载流子极性和浓度的影响的报道却很少。由于这一过程可能引入深层缺陷，
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