2nm，大决战！

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 台积电赢得了 FinFET。所有值得关注的前沿逻辑设计，甚至英特尔的，都是在台积电位于台湾南部的 N5 和 N3 工艺上制造的。竞争对手已经被甩在身后。三星自 7nm 以来一直表现不佳，良率也很低，英特尔在intle 4 和intel 3 的复苏之路上仍处于早期阶段；无论是外部还是内部的主要客户都没有大批量订购这些节点。   台积电未来能否占据主导地位尚未可知。FinFET 无法进一步扩展，SRAM 微缩已有几个节点停滞。该行业正处于关键的转折点。前沿逻辑必须在未来 2-3 年内采用两种新范式：全栅极 (GAA) 和背面供电（BSPDN 或背面供电网络）。   英特尔在 10nm 节点上失败，并失去了 3 年的领先优势，原因有很多，包括未采用 EUV 以及在工具供应链不成熟的情况下过渡到钴金属化，尽管应用材料警告他们的工具尚 ………………………………