澎湃“芯”动力，赛晶正式发布SiC芯片！

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于8月28日举行的PCIM Asia 2024展上，赛晶科技所属子公司SwissSEM正式发布1200V/13 m Ω SiC MOSFET芯片，并由芯片专家做现场报告《高温导通电阻行业领先的1.2kV SiC MOSFET，适用于电动汽车紧凑型逆变器》。 赛晶科技SiC MOSFET芯片 碳化硅（SiC）具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、电力储能、服务器电源、工业电源变频、智能电网、轨道交通等各个领域。尤其在新能源汽车领域，碳化硅（SiC）功率器件有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化，在新能源车的主驱逆变器等关键电控部件中将发挥更重要的作用。随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。 本次发布的赛晶科技SiC MOSFET芯片，采用多项 ………………………………