北大&深理工Nature Materials：超平整氮化硼单晶晶圆的可控制备与高介电金属栅集成

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2024年8月12日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授研究团队与深圳理工大学丁峰教授团队在《自然-材料》（Nature Materials）在线发表了题为“ Ultraflat single-crystal hexagonal boron nitride for wafer-scale integration of a 2D-compatible high-κ metal gate ”的研究论文，报道了超平整氮化硼单晶晶圆的可控制备，并实现了二维器件兼容的高介电金属栅极（HKMG）的晶圆级集成。 二维材料具有丰富的物理特性，在电子、能源和催化等领域具有广阔的应用前景。尤其是在高性能电子器件领域，原子级厚度的高迁移率二维半导体有望成为下一代沟道材料，延续摩尔定律。而在二维电子器件中，栅介质与二维沟道材料之间仍然存在缺陷、杂质以及悬挂键等问题，造成载流子的散射，严重制约了器件性能。因此，获得高质量的沟道-栅介质界面是学术界与工业界关注的重点。六方 ………………………………