美国北伊利诺伊大学&阿贡国家实验室_具有钕(II)掺杂的杂化钙钛矿中光诱导的类近藤激子-自旋耦合效应

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一、【导读】 实现对光生激子中具有量子纠缠属性的电子-空穴操控是量子科学中的一项关键基础科学问题。在物理学中，近藤效应产生于磁性杂质元素中局域自旋电子和金属材料中巡游电子之间的反铁磁交换作用。在大部分情况下，近藤效应作为一项电学的输运特性，只存在于金属或金属合金中，也偶尔存在于量子点材料中。将近藤效应集成进具有光激发响应的半导体材料并实现光学调控的案例却鲜有报道。因为半导体材料可通过光激发将离域电子和空穴分别注入材料导带和价带，因此可潜在成为一项非接触式、可光学开关的自旋电子器件和基于电子自旋态的量子计算技术。 二、【成果掠影】 近日，美国北伊利诺伊大学Tao Xu团队和美国阿贡国家实验室纳米尺度材料中心Benjamin T. Diroll, Saw Wai Hla等人在Nature Communications（《自然·通讯》）上发表研究 ………………………………