徐集贤AEM：低温原子层沉积空穴传输层用于提高钙钛矿/硅叠层太阳能电池的性能和可扩展性

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钙钛矿叠层太阳能电池具有超越单结极限和工业兼容性的潜力，然而，集成空穴传输层（ HTL ）在共形涂层、低温制造和钙钛矿溶液工艺兼容性方面仍极具挑战性。近日， 中国科学技术大学徐集贤等人 引入了一种原子层沉积（ ALD ）铜掺杂工艺来制备低温 NiO x  HTL （ ALD Cu:NiO x ）。 铜掺杂降低了羟基含量和 Ni 3+ 缺陷，解决了提高空穴导电性同时减轻复合损失的挑战。这一进步能够将退火后的温度从 >300 ° C 降低到 200 ° C ，实现与硅异质结（ SHJ ）电池的兼容性，并将 1.65 eV p-i-n 钙钛矿太阳能电池的功率转换效率（ PCE ）提高到 22.47% 。 在纹理化 SHJ 上的自组装单层 HTL 下集成 ALD Cu:NiO x 可显著提高 PCE ，即 1 cm 2 串联从 28.6% 提高到 30.5% （经认证的稳定 PCE 为 30.04% ）， 8.89 cm 2 串联从 23.9% 提高到 26.4% 。在 1000 小时的最大功率点（ MPP ）跟踪后，串联仍 ………………………………