3D NAND闪存来到290层，400层+不远了

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电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代V-NAND 1Tb TLC达290层，已开始量产。根据规划，2025年主流闪存厂商的产品都将进入300层+，甚至400层以上。至于远期，到2030年闪存有望突破1000层。 2024年三星第9代 V-NAND已达290层 前不久，三星宣布第9代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，第9代 V-NAND 采用双重堆叠技术达到了290层。早在2022年11月，三星宣布第8代V-NAND 1Tb TLC量产，V8闪存的层数为236层。这是时隔两年，三星再次将闪存层数进一步拉升。 三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，而消除虚通道孔则显著减少了存储单元的平面面积。 来源：三星电 ………………………………