IEDM2024：UCSB之硅基直接外延生长激光器

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    光学互连数据速率不断提高 推动光子和电子密切 3D 集成。 IIl-V 光源在 MBE 和 MOCVD 在硅上异质外延生长的单片集成近年来受到广泛关注，由于量子点（ QDs ）对晶体缺陷耐受性，凸显其作为增益材料优势。     UCSB John Bowers组 采用分子束外延（ MBE ）技术 在 300mm 反应器中生长了 5 个 QD 层的 O 波段激光器，并将其制备到标准的 Fabry-Perot 脊波导腔中 ，这次该 组 努力 在 SOl 晶圆上生长的单片集成激光腔垂直排列并耦合到同一芯片上的 SIN 波导上，显示出具有口袋内直接 MBE 生长的 300 mm 级 光子集成的潜力。     硅上异质外延生长关键技术在之前 UCSB 的 QD 文章有分析，主要是 通过生长不对称阶梯渐变滤光层来降低 TDD ，并引入捕获层来阻止 MDs 。 此前在硅上生长 QD 激光器已被证明具有优异的性能和良好的可靠性。      为了能够在硅衬底上实 ………………………………