武汉大学，Nature Materials！

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第一作者：Lei Yin, Ruiqing Cheng, Xuhao Wan 通讯作者：Yuzheng Guo， Jun He 通讯单位：武汉大学 DOI： https://doi.org/10.1038/s41563-024-02043-3     研究背景 互补金属氧化物半导体技术（CMOS）的缩小化在电子学领域取得了突破，但更极端的缩放遇到了器件性能退化的瓶颈。一个关键挑战是开发具有高介电常数、宽带隙和高隧穿质量的绝缘体。     研究亮点 本文展示了通过结合粒子群优化算法和理论计算设计并通过范德瓦尔斯外延合成的二维单晶五氧化二钆，可以同时表现出高达约25.5的高介电常数和宽带隙。在5 MV/cm下，甚至实现了低至1纳米的有效氧化物厚度和超低漏电流（约10 -4 A/cm²）。由五氧化二钆栅控的二硫化钼晶体管表现出超过10 8 的高开关比以及在0.5伏操作电压下的近玻尔兹曼极限亚阈值摆幅。本文还构建了增益高且功耗为纳瓦级的反相器电路。这种集 ………………………………