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1 研究背景 二维材料中，自上而下的刻蚀与自下而上的生长密切相关，其刻蚀是从材料边缘和 / 或缺陷处移除原子。随着二维材料研究发展，多种刻蚀技术兴起，可控制造材料层数、图案形貌及纳米结构，用于制造功能器件与设备。以二维二硫化钼为例，通过刻蚀对其雕刻和减薄，能调控它的电学、光学、电催化性能，但在蚀刻过程中存在如材料应变等不确定因素，相关研究还需深入以更好地理解蚀刻机制，精准可控刻蚀图案，探索相关性能及应用。 2 文章概述 有鉴于此，天津师范大学 罗庇荣 以及东南大学 王俊嘉 等人研究了化学气相沉积（ CVD ）二维二硫化钼（ MoS 2 ）单层在不同局部应变条件下的氧化刻蚀规律，揭示了局部应变依赖 CVD MoS 2 的蚀刻行为，使得在不同应变的单层中形成不同的蚀刻图案。 当 CVD MoS 2 的局部拉伸应变低至约 0.33% 或
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