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高性能大规模集成有机光电晶体管需要半导体层在高分辨率像素化过程中保持良好的光电转换能力。然而,由于缺乏对纳米级结构的精确设计,光电性能和器件小型化之间的权衡极大地限制了其商业应用的成功。 在这里,我们展示了一种光伏纳米电池增强策略,该策略克服了这种权衡,并使高性能有机光电晶体管达到了超越大规模集成的水平。将基于钙钛矿量子点的核壳光伏纳米电池嵌入可光交联的有机半导体中,利用光刻技术制造超大规模集成(>2 21 units )成像芯片。 2700万像素互连,像素密度为3.1×10 6 units cm −2 ,比现有有机成像芯片至少高出两个数量级,相当于最新的商用全像素-框架互补金属氧化物半导体相机芯片。嵌入式光伏纳米电池诱导原位光选通调制,并实现 6.8 × 10 6 A W −1 和 1.1 × 10 13 Jones 的光响应度和探测
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