浙大陆俊/浙工大唐谊平、陈强ACS Energy Lett.：—增加层间铵离子存储配位位点：基于硫氰酸根配位调节二硫化钼层间结构

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第一作者：李杭（博士生） 通讯作者：陈强，唐谊平，陆俊 通讯单位：浙江工业大学、浙江大学 【研究背景】 水系铵离子（NH 4 + ）储能作为一种非金属离子储能装置，因其快速动力学、固有安全性、高丰度电荷载体（通过氢和氮源人工合成）等优势，在大规模智能电网储能中展现巨大潜力。 NH 4 + 的独特四面体结构和3.31 Å的水合离子半径对主体材料提出了严格要求，以适应其离子插入/提取需求。当前研究集中于开发层状结构（如MoS 2 、δ-MnO 2 、V 2 O 5 等）、隧道结构（如h-MoO 3 、α-MnO 2 ）和三维框架结构。层状材料凭借其高层间距和强范德华力，为NH 4 + 储能提供理想的配位环境。通过插层大尺寸离子（如碱金属离子、聚合物）可增加层间距，但过度插层会导致层间无序、占用存储空间，并削弱层间相互作用，降低结构稳定性，仅扩大层间距难 ………………………………