坩埚转速对Ｎ型单晶硅氧含量的影响

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氧是直拉单晶硅无法避免的主要杂质之一，氧原子在硅中大部分以间隙原子状态存在，形成Si-O-Si键，目前通过红外吸收光谱检测的氧即间隙氧，由于在不同温度下，晶体硅中氧的固溶度和扩散系数不同，在晶体生长完成后的冷却过程和硅器件的加工过程中，经过不同的热处理手段，氧会以合适的形式折出，形成氧施主现象和氧沉淀，对硅晶体品质产生有害影响 。 TOPCon 电池技术将加剧间隙氧转化形成更多的沉淀，导致氧沉淀环即同心圆的出现，该沉淀环影响硅片的少子寿命，进而影响电池的转换效率 。氧含量过高是Ｎ型硅片出现同心圆的关键因素之一，因此，高效的 TOPCon太阳能电池对于单晶硅片的品质提出更高的要求。 坩埚转速会影响熔体内部强迫对流，进而改变熔体表面SiO的挥发量，影响单晶硅棒的氧含量。 不同坩埚转速下熔体内部轴向速 ………………………………