【技术浅谈】TVS的选型计算你做对了吗?（续）

文章预览

  ✦   技术浅谈 Techtalk   ✦   俗话说“书接上回”，那么再写个续集吧！ 细心的朋友可能会发现，上一篇写的计算方法针对的是单次的浪涌，比如Surge test一般两次浪涌之间会有30~60 s的间隔时间，这意味着TVS有足够的时间去把吸收的浪涌能量给耗散掉，不会因为热累积而导致TVS温度过高而损坏。 但是，现实中还有一些情况是会有重复浪涌的。比如下图，MOSFET作为低边开关来控制感性负载L，MOSFET会由PWM控制进行周期性的开关，每次关断（turn off）时，L都会因为反向的感应电动式E而产生一个尖峰电压Vspike。 Vspike = L× di/dt (L 大; Ipeak 大；t 小 --> Vspike 大) 此时MOSFET的 Vds需要承受12 V+Vspike的电压，如果Vspike很高的话是有可能会损坏MOSFET的，这时候TVS就有它的用武之地了。 下图这个示例中，MOSFET的Vds=100 V，考虑10%的裕量，TVS的Vc需要 < 100×90%=90 V以保护MOSF ………………………………