中国在太空成功验证第三代半导体材料功率器件

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近日，中国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，这一突破性进展标志着第三代半导体材料有望牵引中国航天 电源 系统升级换代，为中国航天事业以及相关制造业的转型升级注入强大动力。 2024年11月15日，中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队联合空间应用工程与技术中心刘彦民团队研制的碳化硅载荷搭乘天舟八号货运飞船进入太空，开启了空间轨道科学试验之旅。经过一个多月的在轨加电测试，高压400V SiC功率器件（包括SiC二极管和SiC MOSFET器件）完成了在轨试验与应用验证，其静态和动态参数均符合预期，运行正常。 这不仅验证了国产自研高压抗辐射SiC功率器件的空间适应性及其在航天电源中的应用，还对SiC功率器件综合辐射效应进行了深入研究。 碳化硅器件对航天电源升级换代的重要意义 碳化硅作为第三代半导体材料 ………………………………