Nat. Commun：CVD新方法——竞争性共扩散可提高台阶覆盖率

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摘要： 半导体器件是由具有不同电学特性的材料层叠构建而成的，因此，沉积薄层是生产半导体芯片的核心。随着电子设备的缩小，复杂的器件结构应运而生，这要求在孔洞和凹槽特征中进行沉积。对于这种沉积来说，一个关键参数是步进覆盖率（SC），即底部和顶部材料厚度的比率。在本项研究中，展示了通过 添加重惰性气体的共流可以提高化学气相沉积（CVD）的SC。 通过在CVD过程中添加氙（Xe）共流，使用比氙原子质量小的单源前驱体进行硼碳化物的沉积，SC从0.71提高到了0.97，在10:1的高宽比特征中。这一概念通过 在横向高宽比结构中更长的沉积深度 进一步得到了验证。本研究认为，竞争性共扩散是实现共形CVD的一条通用途径。 实验方法： 1. 实验设备：    - 使用了一个水平热壁CVD反应器。    - 采用了三乙基硼（TEB）作为单源前驱体，用于 ………………………………