首款！试验顺利完成

主要观点总结

国产首款高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件完成空间验证及在电源系统中的在轨应用。采用该功率器件的空间电源模块效率提升至95%，功率-体积比提高5倍。碳化硅作为第三代半导体材料，具有独特优势，可大幅提高电源系统功率和转换效率。中国科学院微电子研究所等机构联合研制的碳化硅载荷已搭乘天舟八号货运飞船进行在轨科学试验，并取得成功。

关键观点总结

关键观点1: 国产高压抗辐射碳化硅功率器件完成空间验证

采用该功率器件的空间电源模块效率提升至95%，并且功率-体积比也有显著提高。

关键观点2: 碳化硅作为第三代半导体材料的优势

碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高等独特优势，能够大幅提高电源系统功率和转换效率。

关键观点3: 碳化硅载荷的成功在轨试验

中国科学院微电子研究所等机构联合研制的碳化硅载荷已搭乘天舟八号货运飞船进行在轨科学试验，测试数据正常，验证了高压400伏碳化硅功率器件在轨试验与应用的成功。

关键观点4: 碳化硅功率器件的未来应用

未来，碳化硅功率器件将牵引空间电源系统的升级换代，为我国探月工程、载人登月、深空探测等提供新一代功率器件的选择。

文章预览

◎ 科技日报记者 陆成宽 记者22日从中国科学院微电子研究所获悉， 首款国产高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件完成空间验证及在电源系统中的在轨应用。 与采用传统硅基功率器件的空间电源模块相比， 采用该功率器件的空间电源模块的效率从85%提高到95%，功率-体积比提高了5倍。 功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为电力电子系统的心脏，是最基础、应用最广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高等独特优势，可大幅提高电源系统功率和转换效率。 2024年11月15日，由中国科学院微电子研究所、中国科学院空间应用工程与技术中心联合研制的碳化硅载荷，搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了空间站在轨科学试验之旅。 通过一个多月的在轨加电试验，碳 ………………………………