三星/MIT/成均馆大学合作，Nature！

文章预览

▲第一作者：Ki Seok Kim, Seunghwan Seo, Junyoung Kwon, Doyoon Lee, Changhyun Kim 通讯作者：Minsu Seol, Jin-Hong Park, Sang Won Kim & Jeehwan Kim 通讯单位：韩国三星综合技术院，韩国成均馆大学，美国麻省理工学院 DOI：10.1038/s41586-024-08236-9 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     研究背景 对电子元件三维（3D）集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的工艺挑战，但硅穿孔(through-silicon-via, TSV)技术是实现单晶器件组件三维集成的唯一可行方法。虽然单体式三维（M3D）集成方案很有前景，但无缝连接单晶半导体而不使用中间晶圆的技术尚未实现。这一挑战源于在后端制程之后，低温下在非晶或多晶表面上生长单晶固有的困难，以保护底层电路。因此，实用的基于生长的单晶M3D解决方案仍有待探索。     研究问题 本文提出了一种方法，可以在足够低的温度下在非晶和多 ………………………………