ACS Nano | 金属基底上石墨烯纳米带的氯化物插层电子去耦和空穴掺杂

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第一作者： Amogh Kinikar 通讯作者： Marco Di Giovannantonio,* Carlo A. Pignedoli,* and Pascal Ruffieux* 通讯地址： nanotech@surfaces Laboratory, Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, Dubendorf 8600, Switzerland 【背景介绍】 石墨烯纳米带（ GNRs ）是一种具有丰富的电子特性的纳米材料，其在材料和电子科技领域具有着广泛的研究前景。 GNRs 的一般制备方法是通过金属表面进行催化，例如 Au(111) 。但是这样合成的 GNRs 会吸附在催化金属表面，而金属表面会对材料的电子性质产生影响，从而掩盖了材料本身的电子性质。目前较为有效的隔绝金属表面影响的方法是在材料和金属表面之间制备一层介电层，已有研究通过使用 Si 和 I 2 进行夹层处理，但这些方法都需要在高温的条件下进行，会产生不必要的副产物。在本文中作者在室温条件下在 Au(111) 表面形成了一层金 ………………………………