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2024, Nature Nanotechnology——镜像孪晶边界引领电子产品微型化革命,突破FET栅极极限至0.4 nm!

二维材料君  · 公众号  ·  · 2024-07-10 09:26
    

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文章链接: https://www.nature.com/articles/s41565-024-01706-1             在单层二硫化钼中存在着一种镜像孪晶边界(Mirror twin boundary, MTB),是人们目前发现的最薄且隔离良好的导体。 它的形成是在MoS 2 外延生长时,岛屿会在两种可能的取向下成核,形成左右不同取向的三角形单层薄片,当两个这样镜像岛屿融合时,便会在界面形成MTB。 MTB先前长度仅限于几十纳米,并且是随机形成的。韩国基础科学研究所(IBS)研究团队的Ahn等人优化了二硫化钼在绝缘蓝宝石衬底上的生长,使MTB长度可以达到几十微米。并且利用聚焦离子束创建的预定义成核点可实现复杂的MTB网络。他们还赋予MTB新的意义,将其从基础研究转向功能与应用,认为MTB使未来器件尺寸缩小的一种解决方案,在保证器件性能的前提下, 将MoS 2 FET栅极尺寸缩小到新的极限1 nm以下。 将有意思的 ………………………………

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