主要观点总结
该文章主要研究了绿光磷化铟（InP）量子点发光二极管（QD-LED）效率低和寿命短的问题。通过电化学激发瞬态吸收光谱技术，发现了中间层ZnSeS产生的势垒限制了电子浓度及陷阱饱和是导致低效率的主要原因。研究通过调整中间层的厚度和成分，实现了电子注入和泄漏的改善，取得了显著的量子效率提升和寿命延长。实验结果能够通过WKB量子隧穿模型解释。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景及问题
文章指出绿光磷化铟QD-LED面临效率低和寿命短的问题，且目前不清楚主要原因。
关键观点2: 主要发现
通过电化学激发瞬态吸收光谱，发现ZnSeS中间层产生的势垒是导致QD-LED低效率的关键。增加ZnSe中间层厚度并替代ZnSeS能改善电子注入并抑制泄漏，实现26.68%的峰值量子效率和1241h的T95寿命，性能达报道结果的1.6倍和165倍。
关键观点3: 研究方法
使用电化学激发瞬态吸收光谱技术观测QE-LED中的电子性质，通过EETA光谱测试电子布居数目。利用ABC模型解释QE性质，并通过WKB量子隧穿模型解释实验结果。
关键观点4: 实验结果分析
研究发现电子浓度低是绿光InP QD-LED低效率的主要原因，难以克服电子俘获的能量损失。通过调整中间层厚度和成分，改善电子注入和泄漏，实现量子效率的提升。
关键观点5: 参考文献
提供了相关参考文献和加群方式以供进一步学习和交流。
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