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新品发布 | 超宽体,超高耐压,光耦兼容,单通道隔离驱动CCi8335系列芯片

芯进电子  · 公众号  ·  · 2024-09-25 18:02

主要观点总结

芯进电子推出新品,CCi8335系列芯片应用于1.5kV光伏逆变器系统。该芯片具有超高耐压、高可靠性、兼容光耦单通道隔离驱动的特性。产品优势包括宽体封装SOP8WW、爬电距离长、隔离等级高、浪涌能力强等。应用场景涉及太阳能逆变器、储能变频器、直流充电桩等。该芯片实测数据表现优异,达到国际领先水平。

关键观点总结

关键观点1: 产品研发与特点

芯进电子为1.5kV光伏逆变器系统推出超高耐压光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。采用宽体SOP8WW封装,具有专利的超高耐压隔离膜技术。

关键观点2: 产品优势

产品具有多项优势,包括长爬电距离、高隔离等级、强浪涌能力、优秀的CMTI性能和抗干扰能力等。VIOWM达到2000Vrms,隔离等级高达8000Vrms,浪涌能力高达24kV。

关键观点3: 应用场景

该芯片广泛应用于太阳能逆变器、储能变频器、直流充电桩、UPS和电池充电器等。适用于隔离IGBT、功率MOSFET栅极驱动。

关键观点4: 实测数据

实测数据显示,CCi8335系列芯片的AC BV和SURGE峰值超过24KV,VISO达到8KVrms,达到了国际领先的隔离耐压水平。

关键观点5: 联系方式

成都总部联系信息为86-028-87787685和86-028-87592076,邮箱为support@crosschipmicro.com。此外,芯进电子在深圳、上海和苏州均有分公司。


文章预览

新品发布 针对1.5kV光伏逆变器应用系统,芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要,CCi8335在耐压方面进行了全方位优化,采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装,同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术,AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV,VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk ,  动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压 达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。  ▲超宽体封装 SOP8WW,具有15mm爬电距离 产品优势与主要特性 1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器 2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术,远超增强型隔离标准 🔹VIOWM ≥ 2000VRMS  🔹隔离等级高达 8000VRMS 🔹浪涌能力高达 24kVPK 3、共模瞬态抑制:典型值大于±150V/ns 4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 3 ………………………………

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