逐鹿顶尖工艺，HBM4的三国时代

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1 算力需求澎湃催化 HBM 技术快速迭代 1.1 HBM：高带宽低功耗的全新一代存储芯片 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，作为全新一代的 CPU/GPU 内存芯片，其本质上是指基于 2.5/3D 先进封装技术，把多块 DRAM Die 堆叠起来 后与 GPU 芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。 在结构上，HBM 是由多个 DRAM 堆叠而成，主要利用 TSV（硅通孔）和微 凸块（Micro bump）将裸片相连接，多层 DRAM die 再与最下层的 Base die 连接， 然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。同一平面内，HBM 与 GPU、CPU 或 ASIC 共同铺设在硅中阶层上，再通过 CoWoS 等 2.5D 先进封装工艺 相互连接，硅中介层通过 CuBump 连接至封装基板上，最后封装基板再通过锡球与 下方 PCB 基板相连。 和传统的 DRAM 相比，HBM 具有高带宽、低功耗、小尺寸三大特点。1）高 带宽：HBM 堆栈没 ………………………………