台懋半导体 | MOS 管结构，原理及基本应用(二)

文章预览

A,工作原理 ：   图 1-3 -A 是   N  沟 道   MOS   管 工 作 原   理   图   ； 从图   1-3-A 可以看出，增强型 MOS 管的漏极 D 和源极 S 之间有两个背靠背的 PN 结。当 栅 -源电压 VGS=0 时，即使加上漏 -源电压 VDS，总有一个 PN 结处于反偏状态，漏 -源极 间没有导电沟道（没有电流流过 ）， 所以这时漏极电流 ID=0。 此时若在栅 -源极间加上正向电压，图   1-3-B 所示，即 VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的 SiO2 绝缘层中便产生一个栅极指向 P 型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的， 栅极所   加电压 VGS 无法形成电流，氧化物层的两 边就形成了一个电容， VGS 等效是对这个电容 充电，并形成一个电场，随着 VGS 逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一 边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的 N 型导电沟道，当 VGS 大于管子的开 启电压 ………………………………