主要观点总结
本文报道了深南电路、本源量子、飞骧科技、中国科学技术大学和北大材料学院在科技创新方面取得的进展。深南电路公布了一种检测单元及其制作方法、光子探测器专利；本源量子公布了一种量子芯片的测试方法、装置及量子计算机专利；飞骧科技公布了一种声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备专利。另外，中国科学技术大学在超薄ZrO2介质薄膜制备研究中取得新进展，北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域也取得了新成果。
关键观点总结
关键观点1: 深南电路公布检测单元及其制作方法、光子探测器专利
天眼查显示，深南电路股份有限公司申请公布了一种检测单元及其制作方法、光子探测器专利，该专利包括刚挠电路板、柔性部及与柔性部连接的刚性部等。
关键观点2: 本源量子公布量子芯片的测试方法、装置及量子计算机专利
本源量子计算科技（合肥）股份有限公司公布了一种量子芯片的测试方法、装置及量子计算机专利，该专利提高了测试效率及测试精度。
关键观点3: 飞骧科技公布声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备专利
深圳飞骧科技股份有限公司公布了一种声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备专利，该专利能够提高声表面波器件的仿真精度。
关键观点4: 中国科学技术大学在超薄ZrO2介质薄膜制备研究中取得新进展
中国科学技术大学龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积制备研究方面取得了新进展，该工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，提高了介质k值，同时降低了漏电。
关键观点5: 北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域取得新进展
北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域取得新成果，通过构建有序超结构、调制材料颗粒形貌等方法，制备的富镍层状过渡金属氧化物表现出高放电比容量和优异的循环保持率。
文章预览
1.深南电路“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布 2.本源量子“量子芯片的测试方法、装置及量子计算机”专利公布 3.飞骧科技“声表面波器件模型系数提取与仿真方法、装置及相关设备”专利公布 4.中国科学技术大学在超薄ZrO2介质薄膜制备研究中取得新进展 5.北大材料学院夏定国课题组在锂电池高容量正极材料研究领域取得新进展 1.深南电路“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布 天眼查显示，深南电路股份有限公司“检测单元及其制作方法、光子探测器”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118604869A。 本申请公开了一种检测单元及其制作方法、光子探测器。包括：刚挠电路板、柔性部及与柔性部连接的刚性部；柔性部包括预设区域，探测电路板与预设区域贴合设置；刚性部用于与处理装置连接；模数转换
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