面对电动汽车和数据中心两大主力应用市场，SiC和GaN该如何发力？

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氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）是宽禁带（WBG）半导体材料，由于其独特性，使其在提高电子设备的效率和性能方面起着至关重要的作用，特别是在DC/DC转换器和DC/AC逆变器领域。 对于GaN而言 ，与硅相比，它具有优异的电子迁移率和更高的击穿电压，能在高温、高电和高频下工作，其优势主要体现在三个方面： 一是GaN器件的导通电阻和开关损耗很低，在功率转换过程中将具有更高的效率； 二是GaN器件因其更高的功率密度而实现了紧凑的设计，非常适合小型化应用； 三是GaN晶体管可以实现更快的开关转换，从而减少开关损耗。 在DC/DC转换器中，GaN器件提高了降压/升压转换器等电压转换器的效率，尤其适合电动汽车和数据中心等应用。在DC/AC逆变器应用中，GaN器件同样大幅提高了系统的能量转换效率。 SiC是另一种宽禁带半导体 ，以其高温稳定性和优 ………………………………