研究前沿：应变工程-二硫化钼MoS2晶体管 | Nature Electronics

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在现代硅电子学中，应变工程发挥了关键作用，在20世纪90年代，作为迁移增压器mobility booster引入，并在21世纪初商业化。以互补金属氧化物半导体complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS)兼容的方式，实现二维two-dimensional (2D) 半导体的类似进展，可提高2D材料晶体管的工业可行性。 今日，美国 斯坦福大学（Stanford University）Marc Jaikissoon，Eric Pop等，在Nature Electronics上发文，报道了氮化硅覆盖层capping layers ，可在传统硅衬底上赋予单层二硫化钼molybdenum disulfide (MoS2) 晶体管应变，在350°C的低热预算时，通过CMOS兼容方法提高了器件性能。 应变背栅和双栅二硫化钼MoS2晶体管的通态电流中值，分别增加高达60%和45%。当将晶体管沟道和触点，从微米级减小到200nm时，还发现了最大的性能提升，在仅有400nm触点间距的器件中，达到了488µAµm−1饱和电流。 模拟表明 ………………………………