从Si到SiC，我们该如何丝滑升级？

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在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色。在需要较高电压和功率的电动车、白色家电、通信基础设施、可再生能源、数据中心等领域，SiC更是表现出强劲的实力。 SiC器件的性能优势 从下图可以看出，与Si材料相比，SiC有两个突出优势：一是SiC的高禁带宽度（是Si的3倍）带来了更高的击穿电压、温度和功率等级；二是SiC具有更高的热导率，有利于功率器件热性能的提升，以支持更高电流密度的应用。 图1：SiC与Si材料特性比较 （图源：Qorvo） 基于这样的性能优势，用SiC打造的开关器件（如MOSFET）与硅基器件相比，自然也是具有诸多优势： 1 SiC击穿电压更高，这意味着可以更轻薄的器件来支持更高的电压。 2 SiC器件具有较小的裸片 ………………………………