武汉大学&武汉理工大学合作，Nature Electronics！

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研究背景 忆阻器是一种具有记忆功能的电子元件，因其具有潜力应用于类脑计算、人工智能等领域，近年来受到了广泛关注。与传统的数字计算架构相比，类脑计算在处理数据密集型任务时，能够显著提升计算效率和速度。忆阻器在实现类脑硬件中具有重要作用，特别是在实现内存计算和模拟计算方面。模拟忆阻器由于能够实现多个电导态，对于高效类脑计算具有重要应用价值。然而，现有的模拟忆阻器通常面临着较小的开关比问题，限制了其在精确权重映射和模拟计算中的应用。 与传统的忆阻器材料相比，基于二维范德瓦尔斯金属材料的忆阻器在多个方面具有明显的优势。这些材料如石墨烯和铂二硫化物，不仅具有优异的导电性能，还具备良好的机械柔性和可调电导特性，因此成为了一种理想的阴极材料。然而，尽管二维范德瓦尔斯材料能够 ………………………………