功率模块硫化腐蚀及其开关特性影响

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功率模块硫化腐蚀及其开关特性影响 本篇论文为SwissSEM与德国不来梅大学合作研究取得的最新成果。 论文作者： Michael Hanf Raffael Schnell(SwissSEM VP) Sven Matthias(SwissSEM COO) Nando Kaminski 译者： SwissSEM 技术支持团队 摘要 大功率半导体模块暴露在污染性（如H 2 S）和潮湿环境中会对封装材料产生腐蚀。硫和铜会在基板绝缘槽内形成Cu 2 S枝晶进而缩短绝缘距离。然而，之前的实验表明，即使是枝晶生长过多的模块，在直流偏置下也能够承受高的阻断电压。尽管大多数IGBT在快速瞬态下进行开关动作，但在绝缘间隙中发生欧姆接触会极大改变这种情况。此次研究，1200V硅基 IGBT模块 在标准封装中经过加速腐蚀气体测试预处理后，将在开关测试台上进行操作，以验证在实际操作中与腐蚀相关的性能问题。 关键词：IGBT, 电力电子, 可靠性, 腐蚀, 鲁棒性, H 2 S, 硫化氢, ………………………………