三星DRAM，关键一战

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 在先进工艺陷入沼泽之后，3D DRAM成为了行业的共识。 传统的 DRAM 中，晶体管集成在一个平面上。而在3D DRAM中，晶体管堆叠成多层，从而使晶体管分散。采用3D DRAM结构可以加宽晶体管之间的间隙，减少漏电流和干扰。3D DRAM技术打破了内存技术的传统范式。这是一种新颖的存储方法，将存储单元堆叠在逻辑单元之上，从而在单位芯片面积内实现更高的容量。 此前，半导体观察曾经在文章《DRAM，加速走向3D》中，我们对3D DRAM有了广泛的报道，包括各大厂商的布局。最近，三星更是详细披露了公司的3D DRAM规划。在笔者看来，这是决定三星DRAM未来的关键一战。 VCT DRAM，16层3D DRAM 据韩媒ZDnet报道，三星电子正在努力开发作为下一代DRAM而备受关注的VCT（垂直沟道晶体管）DRAM和3D DRAM。VCT DRAM 计划于明年完成 ………………………………