AEL：通过局部电子密度工程实现全无机无铅锡卤化物的明亮且稳定的近红外电致发光

主要观点总结

本文报道了内蒙古大学贺进禄和北京师范大学袁方龙等人通过调控Sn2+的局部电子密度，使用N,N′-亚甲基双丙烯酰胺（MBAA）成功开发出高效、明亮且稳定的近红外发光二极管（NIR LED）。

关键观点总结

关键观点1: 研究成果

通过精细调控Sn2+的局部电子密度，成功开发了基于全无机CsSnI3的NIR LED。这些器件能够高效、明亮且稳定地发射超过900 nm的近红外光。

关键观点2: 实验数据与结果

实验研究和理论计算表明MBAA中的C═O基团的多个孤对电子与Sn2+形成强协调键，降低了缺陷密度和本征空穴掺杂密度，改善了CsSnI3的稳定性。制备的NIR LED在943 nm处的峰值发射显示出高达204 W sr⁻¹ m⁻²的辐亮度，6.56%的外量子效率，并在高恒定电流密度下具有较长的半寿命。

关键观点3: 学术交流与合作

文中提供了学术交流的QQ群和微信群信息，以便加强科研合作，海内外科研人员可添加编辑微信pvalley2024、pvalley2019，备注相关信息后由编辑审核邀请入群。

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