AEL：通过局部电子密度工程实现全无机无铅锡卤化物的明亮且稳定的近红外电致发光

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波长超过900 nm的近红外发光二极管（NIR LED）具有广泛的应用前景，但开发高效、明亮且稳定的NIR LED仍然是一大挑战。 在此， 内蒙古大学贺进禄和北京师范大学袁方龙等人 通过精细调控Sn2+的局部电子密度，使用N,N′-亚甲基双丙烯酰胺（MBAA）开发了基于全无机CsSnI3的NIR LED，这些器件能够高效、明亮且稳定地发射超过900 nm的近红外光。实验研究和理论计算表明，MBAA中的C═O基团的多个孤对电子可以与Sn2+形成强协调键，进而降低了缺陷密度和本征空穴掺杂密度，并改善了CsSnI3的稳定性。 由此制备的NIR LED在943 nm处的峰值发射显示出高达204 W sr⁻¹ m⁻²的辐亮度，6.56%的外量子效率，并且在50 mA cm⁻²的高恒定电流密度下，其工作半寿命超过150小时。 Localized Electron Density Engineering for Bright and Stable Near-Infrared Electroluminescence from All-Inorganic Lead-Free Tin Halides Qia ………………………………